SAMSUNG推出高性能20纳米级NAND闪存存储器
2010-05-17 17:06:27 本站原创SAMSUNG推出业界首个更高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32 Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展SAMSUNG公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。
与30纳米级 MLC NAND相比，Samsung的20纳米级 MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度（读取速度为20MB/s，写入速度为10MB/s）。通过采用尖端工艺、设计和控制器技术，与30纳米级 NAND相比，Samsung还获得安全可靠的性能。
用20纳米级的存储器卡将提供4GB-64GB的密度。Samsung及时推出了其高性能优质NAND，支持高密度智能手机、高端IT应用和高性能 存储器卡的不断增长的存储器要求。
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1145
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