90纳米STM32微控制器内置闪存加速器
2010-03-11 11:11:10 本站原创意法半导体宣布取得两项重大技术进展,促使市场成功的STM32系列微控制器的性能和功耗获得进一步提升,这 两项进展分别是:内嵌90纳米制程闪存的微控制器问世;推出业内首款针对工业标准的ARM Cortex-M3内核优化的自适应实时(ART)存储器加速器。
意法半导体的首批采用90nm
由于ARM Cortex-M3的性能高于闪存技术,在运行频率较高时,处理器必须等待闪存,意法半导体独有的ART存储器加速器可平衡这一固有的性能差距。现在,在 运行频率达到120MHz时,CPU无需等待闪存,提高系统的总体速度和能效。
为了在这个频率上释放处理器的150 DMIPS的全部性能,加速器实现了指令预取队列和分支缓存,从闪存执行程序的速度达到120MHz,零等待状态。其它品牌的Cortex-M3微控制器 的性能只有在120MHz频率以上才能超越,但是高频率换来高功耗和高散热量。
现在有了这种性能,开发人员可以在微控制器上执行更多的系统功能,无需使用更加昂贵的微控制器或伴随
最新采用90nm制程和ART存储器加速器的多款STM32产品已通过“嵌入式
目前大客户正在测试新的内置ART存储器加速器的90nm微控制器样片。意法半导体将在今年下半年公布产品细节。
关于STM32系列微控制器
增强技术扩大了意法半导体的微控制器产品阵容,原本已经是业内产品线最宽的Cortex-M3 产品组合现在扩大到110款产品。所有的STM32系列产品的引脚和软件都相互兼容,共用一个外设固件库,这有助于提高设计伸缩性和高效的开发平台化的产 品。
现有的STM32产品线包括STM32高性价比系列、STM32基本型系列和
STM32增强型系列。新增的升级系列包括增加更多接口的STM32基本型USB系列和支持USB
OTG、以太网和双CAN接口的STM32互联型系列。片上闪存密度从16KB到1MB,SRAM密度从4KB到96KB,封装从36针的QFN到
144针的LQFP封装或BGA封装。高性能片上外设包括通信接口、模数