面向移动基站发射器的GaN器件为5G铺平道路
2015-09-13 20:22:04
未知
在氮化镓对SiC RF功率晶体管系列器件均在欧洲微波周2015年推出，在巴黎举行。
5G technology with higher data volumes. " style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋体; font-size: 14px; line-height: 26px;">据英飞凌，以及改善基础设施建设，以支持目前的蜂窝网络的经济性，他们铺平道路，以更高的数据量过渡到5G技术。
RF功率晶体管实现更高的10％的效率和LDMOS晶体管今天常用的五倍功率密度，声称该公司。这意味着，以更小的空间和功耗要求基站发射器目前使用的功率放大器，其无论是在1.8至2.2或2.3至2.7GHz的频率范围内工作。
它们具有的LDMOS的射频带宽的两倍，从而使一个功率放大器可支持多个工作频率。他们还增加了瞬时带宽可用于发射器，它可以让运营商提供采用了4.5G蜂窝网络中指定的数据聚合技术更高的日期。
工程样片和参考设计是根据保密协议提供给客户。
该公司还表示，未来的SiC器件的GaN支持5G蜂窝频段高达6GHz的。
关键词：
-
EETOP 官方微信
-
创芯大讲堂 在线教育
-
创芯老字号 半导体快讯
