GaN Systems公司的GS66508T半桥评估板简化了GaN晶体管电路设计

2015-11-10 17:59:48 未知

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全功能的GS66508T-EVBHB评估板是很容易配置到任何半桥型拓扑结构，包括升压和降压模式。该评估板带有一个快速入门的使用指南和YouTube视频链接（https://www.youtube.com/user/GaNSystems）让安装和运行在几分钟内。的评估板可用于在同步升压或降压的转换，以及脉冲开关来评价晶体管波形。该试剂盒具有完全的文档，包括比尔-的材料组成部分的数字，PCB布局和散热管理，以及栅极驱动电路参考设计，这也是有效的系统工程师在其产品中使用。

旨在提供电气工程师提供一个完整的工作功率级，评估板包含两个650V，30A GS66508T氮化镓场效应晶体管，半桥栅极驱动器，栅极驱动电源和散热器。100V/nS and ultra-low thermal losses." style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋体; font-size: 14px; line-height: 26px;">该GS66508T高功率晶体管是基于氮化镓的系统专有岛技术，属于其650V的其实现与> 100V / NS和超低热损耗快速开关速度极其高效的电源转换的高密度设备的家庭。氮化镓系统公司是唯一一家开发和产品化的GaN功率晶体管全面的产品组合，100V和650V和7A额定电流至250A的额定电压。氮化镓Systems的岛技术®模具设计，结合非常低电感和GaNPX包装的热效率，提供了在切换和过传统的硅MOSFET和IGBT传导性能其氮化镓的FET与45X改善。

mcu" style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋体; font-size: 14px; line-height: 26px;">在30A /55mΩGS66508T GaN功率晶体管是顶侧冷却功能接近芯片级，热效率GaNPX包装。在1.5kW的98.7％的功率转换效率被示出的产品文件，并且可以在主人的实验室中再现。

该评估板提供脚印为输出功率电感器和电容器，以允许用户配置主板成所需的升压或降压操作模式。访问晶体管的结温是由两个热电偶垫和热成像相机端口提供。电源输入应该是9VDC至12VDC，以绝对最高15V的。板载稳压器产生的+ 5V的逻辑电路和+ 6.5V的栅极驱动器。有三种操作模式：脉冲测试模式;降压/标准半桥模式和升压模式。

新GS66508T高电流半桥评估板现已开始全球范围内，可以通过搜索“GS66508T-EVBHB”的一部分号码找到一个当地授权分销商处采购。

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