功率MOSFET符合严格的能效规范
2015-09-13 20:11:26
未知
沟槽型的STripFET F7，低电压的MOSFET中引入了设计用于telecomms，服务器和台式PC电源60V器件，以及工业电源和DC / DC转换器中的太阳能微逆变器。 据意法半导体，它们满足严格的能效规范，最大限度地提高功率密度。 MOSFET的结合改进的传导效率和开关性能的简化沟槽栅极结构，其允许非常低的导通电阻，电容，和栅极电荷。本征体二极管具有低恢复电荷，这有利于更快地切换。高雪崩坚固耐用，确保在恶劣的电气条件和反向传输电容输入电容（的Crss /西塞）增加抗电磁干扰的低比率强劲的性能。 该MOSFET是专为同步整流和平均所需的最大电流，这有助于提高功率密度，降低元件数量更少的并行设备。 有在系列12的部件编号，覆盖工业标准功率封装和最大电流为90～260A（硅 - 限制连续漏极电流在Tc 25℃）。可用的软件包是PowerFLAT 5×6，PowerFLAT 3.3×3.3，DPAK，D2PAK，TO-220，TO-220FP，和二维或六铅H2PAK。
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