Vishay推出SiSS27DN器件扩充Gen III P沟道功率MOSFET

2013-07-15 19:58:03 本站原创

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40V P沟道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。

SiS443DN和SiSS27DN适用于24V、19V和12V负载开关，以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器和电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先，使设计者能够在电路里实现更低的压降，更有效地使用能源，并延长电池使用时间。

在需要更高电压的应用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封装的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合，SiSS27DN提供了极低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)导通电阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封装。

SiS443DN和SiSS27DN进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表：