AOS推出具行业领先标准并适用便携式应用的功率MOSFET
2011-11-17 16:45:26 本站原创新的特色产品：超薄的DFN3X3 封装，超低的Rdson
日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命，还可以使设计变的更简单紧凑，适用于便携式产品，例如：平板电脑、智能手机,电子书、笔记本电脑、数码相机及便携式音乐播放器。
AON7421和AON7423是20V P沟道MOSFET，它们的RDS(ON)是目前市面上具有相同封装的同类产品中最低的。在栅极电压为2.5V时，AON7421的RDS(ON)比其它竞争者要低20%。AON7423是一款低开启门限电压的MOSFET，低至1.5V，适合应用在低电压范围的负载切换。
AOS低压MOS的负责人Peter Wilson介绍：“AOS长期致力于给客户提供高效能的电源解决方案。这个系列的20V P沟道AlphaMOS产品设定了高功率密度和高效能的新基准，符合了延长电池寿命的要求。”所有的产品都是无卤的而且出厂时会100%检测Rg和UIS。
图1：延长便携时产品的电池使用寿命0.8毫米厚度封装
Device Specification Table
VDS | VGS | Max. RDS(ON) | PD @ TA = 25℃ | ID @ TA = 25℃ | |||||
@ -10V | @ -4.5V | @ -2.5V | @ -1.8V | @ -1.5V | |||||
AON7421 | -20 V | ±12 V | 4.6 mΩ | 5.7 mΩ | 8.2 mΩ | — | — | 6.2 W | -50 A |
AON7423 | -20 V | ±8 V | — | 5 mΩ | 6.4 mΩ | 8 mΩ | 10.5 mΩ | 6.3 W | -50 A |
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