意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。

　　在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小的裸片，并提供一个裸露的金属漏极焊盘，有效排除内部产生的热量。薄型封装将使设计人员能够设计更薄的电源外壳，为当今市场提供紧凑时尚的新产品。客户可从两个公司获得这款新的标准产品：意法半导体和英飞凌（Infineon Technologies）均将推出采用这个创新封装的MOSFET晶体管，意法半导体的产品名称是PowerFLAT 8x8 HV，英飞凌的产品名称是ThinPAK 8x8，从而为客户提供高品质双货源供货。

　　新封装的纤薄外形和优异的散热性能，结合意法半导体MDmesh V技术的无与伦比的超低单位裸片面积导通电阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，节省印刷电路板空间。意法半导体将在现有的MDmesh V 产品阵容内加入PoweRFLAT 8x8 HV封装的MOSFET，目前已发布该系列首款产品：650V STL21N65M5。

　　意法半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“我们与英飞凌的合作卓有成效，已开发出一项高性能封装技术，我们的客户可以获得尖端的应用设计和全球两大功率半导体厂商支持的芯片封装。这项具有突破性的封装技术结合意法半导体独有的业内最先进的MDmesh V制程，我们的全新MOSFET将提供相同额定电压产品中最高的功率密度和能效。”

　　STL21N65M5的主要特性：

    ·        RDS(ON)：0.190Ω
    ·        最大额定输出电流 （ID）：17A
    ·        结到外壳热阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W