Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。

该件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装。

凭借低至0.57V的极低前向电压降和优异的雪崩容量，在高频电源适配器、开关电源(SMPS)、桌面PC、服务器和LCD电视中，这些整流器能够减小续流二极管、AC-DC和DC-DC转换器的功率损耗并提高效率。Vishay公司新款TMBS整流器现可提供样品，并已实现量产。

VT1080S, VFT1080S, VBT1080S, VIT1080S产品特性

• 沟道MOSFET与肖特基技术；

• 低前向电压降, 低能耗；

• TO-263AB封装的潮湿敏感度等级为1，符合per J-STD-020规范，无铅最高峰值温度为245℃；

• TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装的最大浸锡温度为275℃，时间为10秒钟，符合per JESD 22-B106规范；

• 最大结温为150℃，符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。

详情见：www.vishay.com


VT1080S, VFT1080S, VBT1080S, VIT1080S产品图