恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶 体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶 体管以及高速开关晶 体管。其电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。

　　这些晶 体管称为突破性小信号(BISS)晶 体管，正如其名，它们为减少打开导通电阻确立了新的基准，使开关时间减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶 体管在1 A时实现了50 mV的超低饱和电压。4种新的高速开关晶 体管使开关和存储时间降低到125 ns。新型BISS-4产品表明，双极晶 体管技术为要求更高性能和降低开关损耗的应用提供了理想选择。

　　恩智浦半导体小信号晶 体管产品市场经理Frank Thiele说，“通过推出采用杰出的低电阻基底技术的第四代BISS晶 体管，恩智浦为采用小型SMD封装的低VCEsat 晶 体管确立了行业发展方向，为双极晶 体管技术打开了新的应用。”

　　新的BISS-4晶 体管提供了高电路效率、低功率损耗，产生的热量要小于相同封装的标准晶 体管。这些新产品的DC集电极电流为4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封装，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶 体管的两倍。新的BISS-4晶 体管是为大批量消费者应用、通信应用、计算应用和汽车应用中的负荷开关、开关式电源(SMPS)和电源管理功能设计的。

　　所有8种新型晶 体管都满足AEC-Q101标准，其封装不含卤化物和氧化锑，满足UL 94V-0阻燃标准和RoHS标准。在2010年第一季度末即将推出的SMD封装的其它类型SOT89、SOT223和SO-8，将扩大新的低VCEsat (BISS)晶 体管系列。恩智浦半导体在10年前推出了BISS晶 体管家族，目前是这些产品的领导供应商。

　　上市时间

　　恩智浦最新推出的低VCEsat 晶 体管现可订货。恩智浦可以立即为设计提供样品。