OFS今天宣布推出针对数据中心，高性能计算和企业网应用的弯曲损耗优化的LaserWave FLEX50微米OM4/OM3多模光纤。该多模光纤可以支持最小7.5m
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用LLP006封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管 --- VBUS05L1-DD1
太阳诱电株式会社宣布，1005型·厚度0.22mm的多层陶瓷电容器AMK105BJ474MC(1.00 x 0.50 x0.22mm，厚度是最大值)投入生产，该产品适用于手机
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的
IDT公司推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以最高效率运行
新日本无线现开发完成了最适合于TV调谐器等信号分离的高隔离度SPDT开关GaAs MMIC NJG1666MD7，并已开始供货了。近年来，随着装载有FM和1seg
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高
