Pcore™2 E1B/Pcore™4 E1B 1200/650V E1B封装工业级碳化硅功率模块 为更好满足工业客户对于高功率密度的需求,基本半导体开发推出了 工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B 。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的 ...
介绍BSM150GB120DN2 CM225DX-24S1 DUAL IGBT 模块,MCP2542FDT-E/MFVAO 专为 8 Mbps 的CAN FD收发器的产品信息: BSM150GB120DN2 是一款1200V 150A DUAL IGBT 模块 ,具备以下功能: • 半桥 • 包括快速续流二极管 • 带绝缘金属底板的封装 产品规格 型号:BSM150GB120DN2 类型:IGBT Silicon Modules 配置:Half ...
随着市场需求不断的变化,各行各业对CPU的要求越来越高,特别是近几年流行的 AIOT,为了有更好的用户体验,CPU的算力就要求更高了。 今天为大家推荐由米尔基于瑞芯微RK3576处理器推出的MYC-LR3576核心板及开发板。 关于RK3576处理器 国产CPU,是这些年的骄傲,华为手机全国产化,国人 ...
标题:高维持电流的ESD防护器件,实现有效的闩锁免疫 High Holding Current SCRs (HHI-SCR) for ESD protection and latch-up immune IC operation 摘要: This paper presents a novel SCR for power line and local I/O ESD protection. The HHI-SCR exhibits a dual ESD clamp characteristic: low-current hig ...
1. 在如果是使用synopsys amba vip,根据要求需要开启 UVM的UVM_DISABLE_AUTO_ITEM_RECORDING宏(不开启会报错)。 2. 如果环境中使用了ral寄存器模型,且与模型关联的sequencer不是synopsys amba vip(比如项目自己的 cfg_agent的cfg_sequencer),可能会出现调用寄存器的read、write任务时候出现卡死的现象。 3.一般这 ...
就当是个提升记录吧。
## 精读笔记 - GGSCR:GGNMOS 触发硅控整流器,用于深亚微米 CMOS 工艺中的 ESD 保护 Meta Date: Title GGSCRs: GGNMOS Triggered silicon controlled rectifiers for ESD protection in deep sub-micron CMOS processes Journal 1 st Author Russ Christian C.,Mergens Marku ...
https://www.elecfans.com/d/2234741.html
为什么是80、90? 因为80,90正值中年,如果你计算过,会发现1990年出生的人,即将步入35岁。 按照现在的职场现状,一部分人的职业生涯已经开始倒计时。 无关学历,身边985的博士都失业了。 只要不是国家编制,不管多大的厂,都没有铁饭碗了。 大厂的岗位释放出来,一个岗位一天能收到大几百的简 ...
智能化、电动化已经成为行业趋势,汽车智能化正在重塑未来出行图景。智能驾驶、智能座舱、智能网联成为塑造行业的核心技术。 经纬恒润 凭借其在汽车电子领域的深厚积累与技术创新,成功为江铃汽车定制了高级别智能驾驶解决方案、高科技智能座舱AR HUD、智能网联解决方案,并获得江铃汽车定点 ...
gaojun927
zaowulanyin
akiha
龙腾虎印
京存高性能存储
Wzx_imos
hirain123
IDO_触觉智能
John_Zhang
yangqiansic
mjd888
orihard1
路科验证
小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )
GMT+8, 2025-1-4 15:55 , Processed in 0.025946 second(s), 2 queries , Gzip On, Redis On.