在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 5633|回复: 11

请教:关于输入管衬底接法的问题

[复制链接]
发表于 2008-4-14 23:48:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
一般来说,将输入管的衬底接源极可以避免背栅效应(体效应)

但如果是N阱工艺,想将运放的NMOS差分输入管的衬底接源极,请问怎么实现(我有试过,但是lVS出错,似乎是因为所有NMOS共用衬底的原因)

谢谢!
发表于 2008-4-15 06:47:55 | 显示全部楼层
这是不可能的对双井工艺尔言,除非你用三井工艺
 楼主| 发表于 2008-4-15 09:42:37 | 显示全部楼层
那在N阱工艺下,做差分运放的输入,
只能将N管的衬底接地吗 或者是使用P管输入?
发表于 2008-4-15 09:58:21 | 显示全部楼层
N-well里不是生成pmos吗?nmos也坐在N-WELL里边??

nmos如果在衬底上,衬底是接最低电位的。

可以采用pmos输入,在nwell里将源和衬短接
 楼主| 发表于 2008-4-15 10:22:30 | 显示全部楼层


原帖由 douya 于 2008-4-15 09:58 发表
N-well里不是生成pmos吗?nmos也坐在N-WELL里边??

nmos如果在衬底上,衬底是接最低电位的。

可以采用pmos输入,在nwell里将源和衬短接



nmos是做在衬底上的

看来我做输入的话只能用PMOS了
发表于 2008-4-17 17:50:43 | 显示全部楼层
用类似uA741的结构就可以,但电源电压的最小要求要大些
 楼主| 发表于 2008-4-21 10:02:18 | 显示全部楼层


原帖由 yefengear 于 2008-4-17 17:50 发表
用类似uA741的结构就可以,但电源电压的最小要求要大些




不懂,哪位大牛帮忙解释一下

另外,难道只有三阱工艺才可以实现吗
发表于 2009-2-4 10:42:42 | 显示全部楼层
三井工艺分别是什么啊?不太清楚啊。
发表于 2009-2-4 13:23:19 | 显示全部楼层
LZ可以考虑用N阱工艺的PMOS管做输入管,这样可以衬底接地,同时1/f 噪声也较小
发表于 2009-2-4 16:54:57 | 显示全部楼层
为啥一定要跟源级接一起,多麻烦
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 04:51 , Processed in 0.023613 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表