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楼主: topic

90nm的模拟电路设计相比于0.18um的难度在哪儿?

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发表于 2008-4-5 18:04:02 | 显示全部楼层
I think Ro and I leakage is crucial problems....
发表于 2008-4-7 21:16:29 | 显示全部楼层
都开始用90nm了?作模拟这个也先进了些!我们这还都0.5,0.35用着了。
发表于 2008-4-23 20:49:21 | 显示全部楼层
学习了!赞
发表于 2008-4-30 13:49:19 | 显示全部楼层
不错 值得一学
发表于 2008-5-1 22:25:01 | 显示全部楼层
noise compensation?
发表于 2008-5-2 00:12:22 | 显示全部楼层
漏电流太大,工作电压低了,还有工艺的偏差对电性能的影响也更严重
头像被屏蔽
发表于 2008-5-2 14:19:39 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2008-5-4 16:28:23 | 显示全部楼层
要考虑STI效应,layout要求更高
发表于 2008-9-5 17:30:44 | 显示全部楼层
晶体管小尺寸效应更显著了,准确的器件模型更难得到
发表于 2008-9-5 19:50:58 | 显示全部楼层
Gm很难做大!
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