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有仿真过耗尽型MOS管的吗?

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发表于 2008-3-24 01:39:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做一个电路,要用到耗尽型的MOS,现在的SPICE MODEL好象都是增强型的,不知道怎么仿真。也不知道怎么修改MODEL。大家有仿过耗尽型的MOS么?
 楼主| 发表于 2008-3-24 02:16:42 | 显示全部楼层
睡前一顶
 楼主| 发表于 2008-3-24 14:42:35 | 显示全部楼层
估计大家都用增强型的了
真不知道这耗尽型的怎么仿呢
发表于 2008-3-30 04:10:57 | 显示全部楼层
我们倒是用到了,不过模型是代工厂给的
csmc0.6工艺就有,n型的,里面只有一个corner的model,和普通nmos的主要区别是vth0是负的,但最终的管子特性还要和代工厂协商,调调注入浓度
HHNEC1um的耗尽model规定了尺寸,好像是W/L=2um/10um,还有tt,ss,ff的corner,还没流出去,不知道效果怎样!
不知道楼主是不是想自己写model,周一上班,仔细研究下再回答你吧!
发表于 2008-3-30 14:20:07 | 显示全部楼层
好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好
发表于 2009-7-17 13:16:28 | 显示全部楼层
继续ding起来啊
发表于 2009-7-19 01:46:25 | 显示全部楼层
如果是n管,把阈值改成负的就可以了
发表于 2009-7-19 08:26:36 | 显示全部楼层
如果工艺不提供你仿了也没意思,如果工艺提供了,应该用工艺模型就可以直接仿了



原帖由 myblues 于 2008-3-24 01:39 发表
最近在做一个电路,要用到耗尽型的MOS,现在的SPICE MODEL好象都是增强型的,不知道怎么仿真。也不知道怎么修改MODEL。大家有仿过耗尽型的MOS么?

发表于 2010-5-7 09:03:07 | 显示全部楼层
最近要用耗尽管做电路,有谁知道哪里有相关的资料不
发表于 2010-5-7 18:53:59 | 显示全部楼层
很多工艺里都有耗尽管,CSMC,TSMC,SMIC,看你用耗尽管做啥电路了,对耗尽管的阈值要求高不高,比如用它做基准就必须好好测测了,我用过上华的0.6耗尽管做过基准温漂的厉害。
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