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不一定是栅极击穿。 1、测量对地电阻有十几K,说明对地有过大漏电流。如果运放输入端是PMOS,那肯定不会是栅极打坏了。应该是PAD上的ESD保护电路出了问题; 2、如果运放的输入端是NMOS,那么运放的输入级MOSFET的源 ... analogmind 发表于 2010-5-11 19:29 登录/注册后可看大图
这些结论有依据吗?还是你自己想的? qqqqqqsilicon 发表于 2010-5-18 15:47 登录/注册后可看大图
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