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查看: 6854|回复: 11

[讨论] 传输门的PMOS衬底问题

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发表于 2010-4-21 14:17:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看到一个电路,里面传输门的PMOS衬底
在其导通时通过另外一个传输门连接到source端,
关闭的时候连接到电源电位
这个有什么好处么?好像并不能提升沟道电荷注入的问题吧
发表于 2010-4-21 16:40:20 | 显示全部楼层
这个叫做bulk switching,可以用在开关电容电路里。。

导通时:希望Vth小,所以要避免body effect

关断时:希望Vth大,所以就要body effect

具体有多大用处,没研究过,反正觉得挺麻烦的。
发表于 2010-4-21 18:51:00 | 显示全部楼层
长见识!
发表于 2010-4-21 19:07:27 | 显示全部楼层
顶一个。
发表于 2010-4-21 20:00:31 | 显示全部楼层
可能会有考虑衬底电容的问题吧,,优化Vth的同时,能不能优化开关的寄生电容问题呢?
发表于 2010-4-22 09:35:58 | 显示全部楼层
发表于 2010-4-22 11:39:08 | 显示全部楼层
哦,是这样啊
发表于 2013-7-15 16:52:39 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2013-7-16 02:21:30 | 显示全部楼层
回复 1# stoneduan

对于一个传输门PMOS,你怎么知道哪边是source?
 楼主| 发表于 2013-7-18 15:45:53 | 显示全部楼层


回复  stoneduan

对于一个传输门PMOS,你怎么知道哪边是source?
ygchen2 发表于 2013-7-16 02:21




    方便表达而已,大家都知道MOS是对称的
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