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关于ESD的设计的问题

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发表于 2009-9-26 14:23:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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用MOS管短接成二极管,反偏在Vdd和信号输入,gnd和信号输入之间,问下这个MOS管的W/L怎么设计,一般在设计这种ESD时有什么指标?
发表于 2009-9-26 15:52:48 | 显示全部楼层
对于GGNMOS和GGPMOS, 一般FOUNDARY都会提供相关ESD尺寸要求. 在没有特殊要求的情况下,可以按此来设计尺寸;
其实,还有比较重要的是版图,尤其要防止非一致开启的问题.

analog_man
发表于 2009-9-26 21:39:39 | 显示全部楼层
能否再详细的解释一下怎么样是非一致开启?布版的时候注意些什么呢
发表于 2009-9-27 07:03:11 | 显示全部楼层
頂各位了.
機構解比較快
 楼主| 发表于 2009-9-27 09:54:21 | 显示全部楼层


原帖由 analog_man 于 2009-9-26 15:52 发表 对于GGNMOS和GGPMOS, 一般FOUNDARY都会提供相关ESD尺寸要求. 在没有特殊要求的情况下,可以按此来设计尺寸; 其实,还有比较重要的是版图,尤其要防止非一致开启的问题. analog_man



详细解释下啊
发表于 2009-9-27 12:42:28 | 显示全部楼层
我们都知道,GGNMOS的开启,是靠寄生电阻的压降使得寄生三极管开启。 这样,对于multi-finger 结构,中间的ggmos一般会先开启。如果设计不合理,会导致在整个esd过程中,只有很少几个finger开启,会发现其esd很弱。
相应的办法很多,每个foundary都会有办法。一般调整各个finger的gd size, 或者中间加pick-up等等。

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