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运放的管子不饱和怎么办

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发表于 2009-9-13 16:10:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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新手问个问题, 我做了个telescopic opamp, pmos输入, 算了一下管子的尺寸和偏置电压, 可是仿真看了一下总是有管子不饱和, 这是为什么呢, 调了好久也没有调好.
偏置应该怎么加呢? 谢谢
发表于 2009-9-13 16:17:10 | 显示全部楼层
allan 哪本书的第三章
好好的再看看
谁也帮不了你
发表于 2009-9-13 18:28:00 | 显示全部楼层
这个东西说也说不清楚 你多调试下  就能够有所领悟了
发表于 2009-9-14 00:26:00 | 显示全部楼层
调运放的过程:
假设电流值为I=1.6mA

1. 随意给NMOS管子和PMOS三个端点加电压,这一步的目的是查看管子的阈值电压 假设:
    Vthn=0.48V  |Vthp|=0.45V
2. 管子的过驱动电压Vod选在0.15~0.2V之间 现在我们假设为0.2V 并且源级接地Vs1=0
    那么栅极电压为:
    VG1=0.48+0.2 =0.68V
3. 固定M1管的VDS1=0.2V  注意看管子是否处在饱和区 如果不是 稍微降低VG1大小,使得VG1-Vthn1略小于VDS,
    如 VGS-Vthn=0.19V 调节管子的尺寸,使得电流达到1.6mA左右

4. 在刚才的管子上再叠加一个管子M2,如何调呢???这时候我们需要注意的是衬偏效应使得Vth变化,这里假设为:  Vthn2=0.5V  大体思想和上述相同但是注意,原来固定的VDS1电压仍需要存在,固定M2的VDS2=0.2
VDS1=VS2=0.2V,
   所以VG2=0.5+0.2 +0.2=0.9V  调整管子尺寸使得电流为1.6mA

PMOS管的调法一样
各个管子尺寸调好后,将附加的VDS电压去掉,连成后基本就可以了,这个时候还有可能有些管子不饱和,一般是共源共栅管,那么我们遵循下面的原则:
在保持电流不变的条件下 而且Vod不变,那么,增大宽长比使得VDS变小 减小宽长比使得VDS增大

如果增益不够,可以将共源共栅管得宽和长加倍 但是这样做回减低单位增益带宽
发表于 2009-9-14 03:37:25 | 显示全部楼层
楼上的做法是不可能work的
opamp 都是用电流bias的方法,不能直接加个固定电压来bias
Vth 是个模糊的值。foundry 测的方法跟我们平时说的不一样。
发表于 2009-9-14 09:42:23 | 显示全部楼层


原帖由 vdslafe 于 2009-9-14 03:37 发表 楼上的做法是不可能work的 opamp 都是用电流bias的方法,不能直接加个固定电压来bias Vth 是个模糊的值。foundry 测的方法跟我们平时说的不一样。



你没有看完我的方法或者说没有理解我的方法

我的意思是说调试运放的时候用的是上述方法

实际的偏置电压肯定是需要采用偏置电路产生的 而且运放的性能分析也需要在各个工艺角下仿真
 楼主| 发表于 2009-9-14 15:13:08 | 显示全部楼层
恩, 谢谢楼上的
发表于 2009-9-14 18:25:22 | 显示全部楼层
饱和?????
发表于 2009-9-14 19:44:08 | 显示全部楼层
随意给NMOS管子和PMOS三个端点加电压,这一步的目的是查看管子的阈值电压

仿真的时候,测这个干吗  仿真模型里,没有吗
发表于 2009-9-14 20:42:24 | 显示全部楼层
Vth is provided in the model files.
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