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请教:为什么在.13um工艺里面可以实现5.5V的输入电压

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发表于 2008-12-9 23:13:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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附件中是一个公司的一款Buck DC-DC converter。
在这款产品中的输入电压范围是2.7V~5.5V,所用工艺是0.13um  6LM,  3.3V  IO  MOS  process, DNWELL 。
为什么?


初来咋到,不知道下载文件花不花大家的信币,特此贴上产品的连接地址,如有需要可从此连接中下载。
http://www.cosmiccircuits.com/powerman.htm

[ 本帖最后由 raylee 于 2008-12-9 23:16 编辑 ]

CC5518BK-130G-V1P3[1].pdf

81.17 KB, 下载次数: 11 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2008-12-10 09:09:45 | 显示全部楼层
也是奇怪!
发表于 2008-12-10 09:30:56 | 显示全部楼层
个人觉得  虽然是.13u的工艺  但是里面部分模块的MOS管子最小线宽不是0.13U 可能比这个大 这些模块的供电电压是5.5v  然后其他低压模块的最小线宽是0.13u ,这样可以节约很多面积 这个需要工艺厂提供相应的模型和设计规则的支持 。

或者 工艺是 0.13u的 但是 5.5V 版的DESIGN RULE  要求MOS管最小L不能是.13U   这种可能性比较大 .

[ 本帖最后由 hvpower 于 2008-12-10 09:34 编辑 ]
发表于 2008-12-10 13:09:47 | 显示全部楼层


原帖由 hvpower 于 2008-12-10 09:30 发表
个人觉得  虽然是.13u的工艺  但是里面部分模块的MOS管子最小线宽不是0.13U 可能比这个大 这些模块的供电电压是5.5v  然后其他低压模块的最小线宽是0.13u ,这样可以节约很多面积 这个需要工艺厂提供相应的模型和设计 ...




.13里面不仅仅是薄氧器件咯,有3.3V I/O嘛,肯定有3.3的器件
到5.5V 完全有可能啊,只要不是source/gate drain/gate  的 over stress,就问题不大啊
logic 部分用.13,或者是需要speed的地方用
发表于 2008-12-10 13:26:29 | 显示全部楼层
  内部有个Bandgap产生较低的电压给.13部分使用,而芯片电源5.5多指给模拟部分使用,模拟部分的width远大于.13
发表于 2008-12-10 13:48:58 | 显示全部楼层
3.3v的管子  用5.5电源 会影响管子的寿命的  还有一些其他的问题.
而且我觉得里面的数字逻辑部分 如果他电压是5.5V供电的话 那么最小的L也肯定比.13U大   DESIGN RULE会有要求的  华虹.35的 5.5V工艺  里面的所有管子的最小L就是.6U才行

[ 本帖最后由 hvpower 于 2008-12-10 15:38 编辑 ]
发表于 2008-12-10 14:28:31 | 显示全部楼层


原帖由 hvpower 于 2008-12-10 09:30 发表
个人觉得  虽然是.13u的工艺  但是里面部分模块的MOS管子最小线宽不是0.13U 可能比这个大 这些模块的供电电压是5.5v  然后其他低压模块的最小线宽是0.13u ,这样可以节约很多面积 这个需要工艺厂提供相应的模型和设计 ...


恩 .13只是最小线宽,模拟中用的线宽一般比这个要大
你那里面用到了DNWELL,也就是深n阱,就是用来做高压的耐压管的
发表于 2008-12-10 14:47:35 | 显示全部楼层
除非有耐5V的高压工艺
 楼主| 发表于 2008-12-11 10:24:04 | 显示全部楼层
3.3V的管子是有的,不过3.3V也是不可以长期工作在5V供电电压下的,又因为开关电源有反相器式的连接,所以会有overstress的问题。
除非有耐5V的工艺,否则就会有稳定性问题。
还想问一下,怎样看有没有耐5V的工艺。
发表于 2008-12-11 21:03:59 | 显示全部楼层
有些工艺提供这样的选择
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